JAN2N6033和JANTXV2N6033

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6033 JANTXV2N6033 2N6033

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V -

集电极最大允许电流 40A 40A -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 140000 mW - -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台