对比图
型号 MMUN2116LT1G PDTA143TT,215 MMUN2115LT1G
描述 ON SEMICONDUCTOR MMUN2116LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23NXP PDTA143TT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, 100 mA, 200 hFEON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V
额定电流 -100 mA - 100 mA
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.4 W 250 mW 246 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 160 - -
额定功率(Max) 246 mW 250 mW 400 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400 mW 250 mW 400 mW
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 200 250
长度 3.04 mm - 3.04 mm
宽度 1.3 mm - 1.4 mm
高度 1.01 mm 1 mm 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99