MMBT2222LT1G和PMBT2222

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222LT1G PMBT2222 MMBT2222LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222LT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFENXP  PMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 250 mW, 600 mA, 100 hFE通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 600 mA - 600 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 30 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW - 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 300 mW

频率 250 MHz 250 MHz -

额定功率 300 mW - -

针脚数 3 3 -

耗散功率 225 mW 250 mW -

增益频宽积 250 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

直流电流增益(hFE) 250 100 -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 3.04 mm 3 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 1.11 mm 1.1 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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