对比图
描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V
额定电流 50.0 A 50.0 A
极性 N-CH -
耗散功率 63W (Tc) 63 W
漏源极电压(Vds) 25 V 25.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A
上升时间 88.0 ns 73 ns
输入电容(Ciss) 1642pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 63 W -
耗散功率(Max) 63W (Tc) -
通道数 - 1
漏源极电阻 - 15.1 mΩ
输入电容 - 1.64 nF
栅电荷 - 13.0 nC
漏源击穿电压 - 25 V
下降时间 - 3.2 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10 mm
宽度 - 9.25 mm
高度 - 4.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free