CSD85302L和CSD87501L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD85302L CSD87501L CSD85302LT

描述 20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD85302LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 10 4

封装 Picostar-4 XFBGA-10 XFLGA-4

通道数 2 2 -

极性 N-CH N-CH Dual N-Channel

耗散功率 1.7 W 2.5 W 1.7 W

阈值电压 680 mV - 900 mV

上升时间 54 ns 260 ns 54 ns

额定功率(Max) 1.7 W 2.5 W 1.7 W

下降时间 99 ns 712 ns 99 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1700 mW 2500 mW 1700 mW

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 0.024 Ω

漏源极电压(Vds) - 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) - 14A -

输入电容(Ciss) - 1620pF @15V(Vds) -

长度 1.35 mm 3.42 mm -

宽度 1.35 mm 1.52 mm -

高度 0.22 mm 0.2 mm -

封装 Picostar-4 XFBGA-10 XFLGA-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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