对比图
型号 IRF630 IRF630B_FP001 IRF630PBF
描述 STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V集成电路N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 9.00 A - -
额定功率 75 W - 75 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.4 Ω 400 mΩ 0.4 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 75 W 72 W 74 W
阈值电压 3 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9A 9.00 A
上升时间 15 ns 70 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 720pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 75 W 72 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 72W (Tc) 74000 mW
通道数 - 1 -
下降时间 - 65 ns 20 ns
长度 10.4 mm 10.67 mm 10.41 mm
宽度 4.6 mm 4.7 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 16.3 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -