对比图
型号 IRG4BC30S-SPBF STGB10NC60KT4 STGB10NC60KDT4
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3Pin(2+Tab) D2PAKSTGB10NC60K 系列 N 沟道 600 V 10 A 短路 PowerMesh IGBT - D2PAKSTMICROELECTRONICS STGB10NC60KDT4 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 34.0 A 10.0 A 10.0 A
针脚数 - - 3
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 100000 mW 65000 mW 60 W
输入电容 - - 380 pF
栅电荷 - 19.0 nC 19.0 nC
漏源极电压(Vds) - 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 10.0 A
上升时间 18.0 ns 6.00 ns 6.00 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
热阻 - - 62.5 ℃/W
反向恢复时间 - - 22 ns
额定功率(Max) 100 W 65 W 65 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100000 mW 65000 mW 65 W
额定功率 100 W - -
产品系列 IRG4BC30S-S - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99