对比图
型号 APT6017LFLLG APT6017LLLG APT8024B2LLG
描述 N沟道 600V 35ATrans MOSFET N-CH 600V 35A 3Pin(3+Tab) TO-264N沟道 800V 31A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 800 V
额定电流 35.0 A 35.0 A 31.0 A
耗散功率 500000 mW 500W (Tc) 565W (Tc)
输入电容 4.50 nF 4.50 nF 4.67 nF
栅电荷 100 nC 100 nC 160 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A 31.0 A
上升时间 7 ns 7 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 565W (Tc)
额定功率(Max) 500 W - 565 W
极性 N-CH - -
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free