对比图
型号 IPD90N06S3-06 NP90N055VDG-E1-AY STB80NF55-06-1
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTORN沟道55V - 0.005 ？ - 80A - TO- 220 / FP - I2PAK - D2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 DPAK-252 DPAK-252 TO-262-3
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 90A 90A 80A
上升时间 60 ns 13 ns 155 ns
输入电容(Ciss) 7770pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)
下降时间 73 ns 7 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 136000 mW 1200 mW 300W (Tc)
通道数 - - 1
耗散功率 - - 300 W
封装 DPAK-252 DPAK-252 TO-262-3
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 8.95 mm
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)