IXKR40N60和STF57N65M5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXKR40N60 STF57N65M5 APT40N60JCU2

描述 MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。ISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Chassis

引脚数 - 3 4

封装 - TO-220-3 SOT-227-4

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 40 W 290000 mW

漏源极电压(Vds) - 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 42A 40A

上升时间 - 15 ns 30 ns

输入电容(Ciss) - 4200pF @100V(Vds) 7015pF @25V(Vds)

下降时间 - 19 ns 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 40W (Tc) 290W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.056 Ω -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 40 W -

高度 - 16.4 mm 9.6 mm

封装 - TO-220-3 SOT-227-4

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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