对比图
型号 IXKH20N60C5 SIHG22N60S-E3 TK20E60U
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247ADTRANSISTOR 22A, 600V, 0.19Ω, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose PowerTOSHIBA TK20E60U 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Vishay Siliconix Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 250 W 190 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 22.0 A 20A
上升时间 5 ns 68 ns 40 ns
下降时间 5 ns 59 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
针脚数 - - 3
漏源极电阻 180 mΩ - 0.19 Ω
阈值电压 3 V - 3 V
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
输入电容(Ciss) 1520pF @100V(Vds) - -
长度 16.24 mm 15.87 mm -
宽度 5.3 mm 5.31 mm -
高度 21.45 mm 20.82 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
香港进出口证 - - NLR