对比图
型号 FDB047N10 IPB038N12N3GATMA1 IRFS4010PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB047N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 VInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装MOSFET，Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0039 Ω 0.0032 Ω 0.0039 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 375 W 300 W 375 W
阈值电压 3.5 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 120 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 164A 120A 180A
上升时间 386 ns 52 ns 86 ns
输入电容(Ciss) 15265pF @25V(Vds) 10400pF @60V(Vds) 9575pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 375 W - -
下降时间 244 ns 21 ns 77 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 300 W 375W (Tc)
额定功率 - 300 W 375 W
通道数 - - 1
长度 10.67 mm 10.31 mm -
宽度 11.33 mm 9.45 mm -
高度 4.83 mm 4.57 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99