IRF7402PBF和STS6NF20V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7402PBF STS6NF20V IRF7402TRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  STS6NF20V  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mVMOSFET, 20V, 6.8A, 35MOHM, 14NC QG, SO-8

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 6.80 A - 6.80 A

额定功率 2.5 W - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7402 - IRF7402

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.80 A 6.00 A 6.80 A

上升时间 47.0 ns 33 ns 47.0 ns

输入电容(Ciss) 650pF @15V(Vds) 460pF @15V(Vds) 650pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.05 Ω

输入电容 - - 650pF @15V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 600 mV -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

下降时间 - 10 ns -

耗散功率(Max) - 2500 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

高度 - 1.25 mm 1.5 mm

宽度 - 4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

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