对比图
型号 FQPF5N50C STW20NK50Z STP5NK50ZFP
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP5NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 5.00 A 17.0 A -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 1.4 Ω 0.23 Ω 1.22 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 38 W 190 W 25 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 17.0 A 4.40 A
上升时间 46 ns 20 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 38 W 190 W 25 W
下降时间 48 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38W (Tc) 190W (Tc) 70W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
额定功率 - 190 W -
输入电容 - 2600 pF -
长度 10.36 mm 15.75 mm -
宽度 4.9 mm 5.15 mm -
高度 16.07 mm 20.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99