对比图
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220 TO-220-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 250 V 1 kV
连续漏极电流(Ids) 14A 3.50 A
额定电压(DC) - 1.00 kV
额定电流 - 3.50 A
额定功率 - 125 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 3.7 Ω
耗散功率 - 125 W
阈值电压 - 3.75 V
漏源击穿电压 - 1.00 kV
栅源击穿电压 - ±30.0 V
上升时间 - 7.7 ns
输入电容(Ciss) - 1154pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W
下降时间 - 19 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc)
封装 TO-220 TO-220-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.15 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99