对比图
型号 MMBT2907ALT1G SMBT2907AE6327HTSA1 NSCT2907ALT3G
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFEInfineon SMBT2907AE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:100, 200（最小）MHz, 3引脚 SOT-23封装SOT-23 PNP 60V 0.6A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 200 MHz 200 MHz -
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -600 mA - -
额定功率 300 mW - -
针脚数 3 3 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 225 mW 330 mW -
输入电容 30 pF - -
上升时间 40 ns - -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 300 mW 330 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 200 100 -
下降时间 30 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 300 mW 330 mW -
长度 3.04 mm 2.9 mm -
宽度 1.3 mm 1.3 mm -
高度 0.94 mm 0.9 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -