对比图
型号 IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRRPBF
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 86 A, 30 V, 0.0052 ohm, 10 V, 1.8 VN沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5VDPAK N-CH 30V 86A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 79 W 79 W
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0052 Ω 0.0052 Ω -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 79 W 79 W 79W (Tc)
阈值电压 1.8 V 1.8 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86A
上升时间 12 ns 12 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 79 W -
下降时间 3.9 ns 3.9 ns 3.9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)
额定电流 86.0 A - -
长度 - 6.5 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.3 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅