FDS4935和FDS4935BZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4935 FDS4935BZ FDS4935_NL

描述 双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935BZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOICDual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

引脚数 8 8 -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A -6.90 A 7A

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -7.00 A -6.90 A -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 23.0 mΩ 0.018 Ω -

耗散功率 2 W 1.6 W -

阈值电压 - 1.9 V -

输入电容 1.23 nF 1.36 nF -

栅电荷 15.0 nC 40.0 nC -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V -

上升时间 10 ns 13 ns -

输入电容(Ciss) 1233pF @15V(Vds) 1360pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 2 W 900 mW -

下降时间 25 ns 38 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1600 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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