AUIRLR024NTRR和IRLR024NTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRLR024NTRR IRLR024NTRPBF IRLR024NTRLPBF

描述 DPAK N-CH 55V 17AINFINEON  IRLR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 1 -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 45 W 45 W 45 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 17A 17A 17A

上升时间 74 ns 74 ns 74 ns

下降时间 29 ns 29 ns 29 ns

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 38 W 38 W

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.065 Ω 0.11 Ω

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 480 pF 480 pF

漏源击穿电压 - 55 V 55 V

输入电容(Ciss) - 480pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 45 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) - 45W (Tc) 45W (Tc)

长度 6.5 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

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