对比图
型号 STB141NF55-1 STB80NF55L-08-1 STP141NF55
描述 N沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET™ II Power MOSFETN沟道 55V 80AN沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80A
输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 4350pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
上升时间 - 145 ns 150 ns
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 - 65 ns 45 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3
长度 - 10 mm 10.4 mm
宽度 - 4.4 mm 4.6 mm
高度 - 8.95 mm 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99