N沟道 55V 80A
N-Channel 55V 80A Tc 300W Tc Through Hole I2PAK
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极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 145 ns
输入电容Ciss 4350pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB80NF55L-08-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB141NF55-1 意法半导体 | 类似代替 | STB80NF55L-08-1和STB141NF55-1的区别 |
STB80NF55-08-1 意法半导体 | 类似代替 | STB80NF55L-08-1和STB80NF55-08-1的区别 |
BUK7E11-55B,127 恩智浦 | 功能相似 | STB80NF55L-08-1和BUK7E11-55B,127的区别 |