对比图
型号 IRLR8729PBF STD60N3LH5 IPD090N03LGATMA1
描述 N沟道 30V 58ASTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 VINFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - - 42 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 7.6 mΩ 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 55 W 60 W 42 W
阈值电压 - 1.8 V 2.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 24.0 A 40A
输入电容(Ciss) 1350pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1600pF @15V(Vds)
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) - 60W (Tc) 42W (Tc)
上升时间 - 33 ns -
额定功率(Max) 55 W 60 W -
下降时间 - 4.2 ns -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
产品系列 IRLR8729 - -
宽度 - - 6.22 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17