对比图
型号 IRF7403 STS11NF30L FDS6612A
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SOICN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 8.50 A 11.0 A 8.40 A
额定功率 - 2.5 W -
漏源极电阻 - 0.0085 Ω 0.019 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 1 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±18.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.50 A 11.0 A 8.40 A
上升时间 37.0 ns 39 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 560pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W
下降时间 - 16 ns 3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)
产品系列 IRF7403 - -
针脚数 - - 8
输入电容 - - 560 pF
栅电荷 - - 5.40 nC
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.25 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99