对比图
型号 IPB037N06N3G IPB037N06N3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1
描述 60V,90A,N沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB037N06N3GATMA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装INFINEON IPB034N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 188 W 167 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.003 Ω 0.0027 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 188 W 167 W
阈值电压 - 3 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60 V -
连续漏极电流(Ids) - 90A 90A
上升时间 70 ns 70 ns 78 ns
输入电容(Ciss) 8000pF @30V(Vds) 8000pF @30V(Vds) 10000pF @30V(Vds)
下降时间 5 ns 5 ns 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 188000 mW 188000 mW 167 W
长度 - 10 mm 10.31 mm
宽度 - 9.25 mm 9.45 mm
高度 - 4.4 mm 4.57 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃