对比图
型号 IRL1004PBF IRLB3034PBF IRL1004
描述 N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLB3034PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.5 VTO-220AB N-CH 40V 130A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 200 W 375 W 200W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 130A 343A 130A
上升时间 210 ns 827 ns 210 ns
输入电容(Ciss) 5330pF @25V(Vds) 10315pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 355 ns 14 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 375W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 200 W 375 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0065 Ω 0.0014 Ω -
阈值电压 1 V 2.5 V -
输入电容 - 10315pF @25V -
漏源击穿电压 - 40 V -
额定功率(Max) 200 W 375 W -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10 mm 10 mm -
宽度 4.4 mm 4.4 mm -
高度 8.77 mm 15.65 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -