对比图
型号 NTD20P06LT4 NTD20P06LT4G NTD20P06LG
描述 功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAKON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAKP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -15.0 A -15.0 A -15.5 A
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 130 mΩ 0.143 Ω 0.143 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 65 W 65 W 65 W
阈值电压 - 1.5 V -
漏源极电压(Vds) 60.0 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.5 A 15.5 A
上升时间 90 ns 90 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 65 W 65 W
下降时间 70 ns 70 ns 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 65000 mW 65000 mW 65W (Tc)
输入电容 - - 1.19 nF
栅电荷 - - 26.0 nC
漏源击穿电压 60 V - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99