对比图
型号 BSS123 BSS123,215 BSS123 L6327
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VNXP BSS123,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 2 VINFINEON BSS123 L6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 3 ohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 170 mA - 170 mA
额定功率 250 mW - -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.2 Ω 3.5 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 mW 250 mW 360 mW
阈值电压 1.7 V 2 V 1.4 V
输入电容 73.0 pF - 1.20 nF
栅电荷 2.50 nC - 49.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 170 mA 150 mA 11.6 A
上升时间 9 ns - 3.1 ns
输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 40pF @25V(Vds) 69pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 mW 250 mW 360 mW
下降时间 2.4 ns - 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 0.36 W 250mW (Ta) 360 mW
长度 2.92 mm - 2.9 mm
宽度 1.3 mm - 1.3 mm
高度 0.93 mm - 1.1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -