对比图
型号 FDP150N10 FDP150N10A-F102 IPP16CN10LG
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP150N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 VN-channel Powertrench Mosfet 100V, 50A, 15mOptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 - TO-220
安装方式 Through Hole - -
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 110 W - 100 W
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.012 Ω - -
阈值电压 2.5 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V - -
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 57A - -
上升时间 164 ns - -
输入电容(Ciss) 4760pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 110 W - -
下降时间 83 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 110W (Tc) - -
封装 TO-220-3 - TO-220
长度 10.67 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 16.51 mm - -
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
含铅标准 Lead Free - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -