对比图
型号 IPB65R380C6 NDD60N360U1-1G NDD60N360U1-35G
描述 650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-251-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 - -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 83 W 114W (Tc) 114W (Tc)
漏源极电压(Vds) 700 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.6A - 11A
上升时间 12 ns - -
下降时间 11 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
输入电容(Ciss) - 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) - 114W (Tc) 114W (Tc)
长度 10 mm - -
宽度 9.25 mm - -
高度 4.4 mm - -
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free