对比图
型号 IPW60R099C6 STW43NM60ND SIHG33N60E-GE3
描述 MOS(场效应管)/IPW60R099C6 管装STMICROELECTRONICS STW43NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 90 mΩ 0.075 Ω 0.083 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 278 W 255 W 278 W
阈值电压 3.5 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 12 ns 40 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 2660pF @100V(Vds) 4300pF @50V(Vds) 3508pF @100V(Vds)
下降时间 6 ns 50 ns 54 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 278W (Tc) 255W (Tc) 278000 mW
通道数 1 1 -
连续漏极电流(Ids) 37.9A 35A -
额定功率(Max) 278 W 255 W -
漏源击穿电压 600 V - -
长度 16.13 mm 15.75 mm 15.87 mm
宽度 5.21 mm 5.15 mm 5.31 mm
高度 21.1 mm 20.15 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
香港进出口证 - NLR NLR
ECCN代码 EAR99 - -