SI2304BDS-T1-GE3和SI2304DS,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2304BDS-T1-GE3 SI2304DS,215 SI2304BDS-T1-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3Pin SOT-23 T/RNXP  SI2304DS,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 117 mohm, 10 V, 2 VTRANSISTOR 2600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AA, ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

耗散功率 750mW (Ta) 830 mW 750 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 - 7.5 ns 12.5 ns

输入电容(Ciss) 225pF @15V(Vds) 195pF @10V(Vds) 225pF @15V(Vds)

下降时间 - 13 ns 15 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750mW (Ta) 830mW (Tc) 750mW (Ta)

漏源极电阻 105 mΩ 117 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 3 V 2 V -

连续漏极电流(Ids) 3.20 A 1.70 A -

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 830 mW -

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - 1 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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