SI2304DS,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI2304DS,215概述

NXP SI2304DS,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 117 mohm, 10 V, 2 V

The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. It is suitable for use in battery management, high speed switches and low power DC to DC converter applications.

.: Very fast switching

.: Subminiature surface-mount package

.: -65 to 150°C Junction temperature range

SI2304DS,215中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 117 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 195pF @10VVds

额定功率Max 830 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI2304DS,215

型号： SI2304DS,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP SI2304DS,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 117 mohm, 10 V, 2 V

立即咨询

替代型号SI2304DS,215

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI2304DS,215 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
IRLML0030TRPBF 英飞凌	功能相似	SI2304DS,215和IRLML0030TRPBF的区别
IRLML2030TRPBF 英飞凌	功能相似	SI2304DS,215和IRLML2030TRPBF的区别
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI2304DS,215和SI2304BDS-T1-GE3的区别