BAS85-GS18和BAS85T/R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS85-GS18 BAS85T/R BAT54XV2T1G

描述 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky DiodeSchottky barrier diode - Cd max.: 10@VR=1V pF; Configuration: single ; IF max: 200mA; IFSM max: 300A; IR max: 2.3@VR=25VA; VFmax: 400ON SEMICONDUCTOR  BAT54XV2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 - 2

封装 Mini-MELF - SOD-523-2

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

电容 10.0 pF 10.0 pF 10.0 pF

正向电压 800mV @100mA - 800mV @100mA

反向恢复时间 5 ns - 5 ns

正向电流 100 mA - 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA - 600 mA

正向电压(Max) 800 mV - 800 mV

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作结温 125℃ (Max) - -

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - ≤200 mA ≤200 mA

负载电流 - - 0.2 A

针脚数 - - 2

极性 - Standard Standard

耗散功率 - - 200 mW

热阻 - - 635 ℃/W

正向电流(Max) - - 200 mA

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

封装 Mini-MELF - SOD-523-2

长度 - - 1.2 mm

宽度 - - 0.8 mm

高度 - - 0.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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