BSC109N10NS3G和IPB70N10S3-12

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC109N10NS3G IPB70N10S3-12 IPD70N10S312ATMA1

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  IPB70N10S3-12  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 VInfineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S312ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 3 3

封装 TDSON TO-263-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0094 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 125 W 125 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 70A 70A

上升时间 7 ns 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 4355pF @25V(Vds) 4355pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 78 W 125W (Tc) 125W (Tc)

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率(Max) - - 125 W

长度 6.1 mm 10 mm 6.5 mm

宽度 5.35 mm 9.25 mm 6.22 mm

高度 1.1 mm 4.4 mm 2.3 mm

封装 TDSON TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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