BSP122和BSP122,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP122 BSP122,115 IRFM210B

描述 BSP122 N沟道MOSFET 200V 550mA/0.55A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP122 甚高频应用NXP  BSP122,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 0.55A 550 mA 0.77A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.7 Ω -

耗散功率 - 1.5 W -

阈值电压 - 2 V -

输入电容(Ciss) - 100pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.5 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.5W (Ta) -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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