对比图
型号 IRF540NS IRF540NSTRLPBF IRF540NSPBF
描述 D2PAK N-CH 100V 33AINFINEON IRF540NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF540NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 33.0 A - -
极性 N-CH N-CH N-Channel
产品系列 IRF540NS - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 33A 33A
上升时间 35 ns 35 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds)
下降时间 35 ns 35 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130000 mW 130W (Tc) 130W (Tc)
额定功率 - 3.8 W 3.8 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.044 Ω 0.044 Ω
耗散功率 - 130 W 140 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 1960 pF 1960 pF
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
额定功率(Max) - 130 W 130 W
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 9.25 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17