BSS84LT1和BVSS84LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS84LT1 BVSS84LT1G LBSS84LT3G

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE PACKAGE-3功率MOSFET的单P沟道SOT- 23 -50 V, 10 ? Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10SOT-23P-CH 50V 0.13A

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-23-3 SOT-23

引脚数 - 3 -

极性 - - P-CH

漏源极电压(Vds) - 50 V 50 V

连续漏极电流(Ids) - - 0.13A

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 4.7 Ω -

耗散功率 - 0.225 W -

阈值电压 - 2 V -

上升时间 - 9.7 ns -

输入电容(Ciss) - 36pF @5V(Vds) -

额定功率(Max) - 225 mW -

下降时间 - 1.7 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225mW (Ta) -

封装 - SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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