BCP56-10T1和BCP56-16

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-10T1 BCP56-16 BCP56T1G

描述 NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorNPN 晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。ON SEMICONDUCTOR  BCP56T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 4

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 - - 130 MHz

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 1.00 A - 1.00 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.6 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 25 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) - 1.6 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 25 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1.6 W 1.5 W

增益频宽积 130 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

长度 6.5 mm 6.7 mm 6.5 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.5 mm

高度 1.57 mm 1.8 mm 1.57 mm

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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