IPP50R140CP和IXFR44N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP50R140CP IXFR44N50P STF25NM50N

描述 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power TransistorN沟道 500V 24AN沟道500 V, 0.11 Ω , 22一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , I2PAK , D2PAK , TO- 247 N-channel 500 V, 0.11 Ω, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 192 W 208W (Tc) 40W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 24.0 A 14.0 A, 22.0 A

上升时间 14 ns 27 ns 23 ns

下降时间 8 ns 18 ns 22 ns

额定电压(DC) - 500 V 550 V

额定电流 - 44.0 A 22.0 A

漏源极电阻 - 150 mΩ 140 mΩ

输入电容 - 5.44 nF -

栅电荷 - 98.0 nC -

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

输入电容(Ciss) - 5440pF @25V(Vds) 2565pF @25V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 208W (Tc) 40W (Tc)

额定功率(Max) - - 40 W

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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