2N60L-TM3-T和AOU2N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N60L-TM3-T AOU2N60 TSM2NB60CHC5G

描述 MOS(场效应管)/2N60L-TM3-T 管装TO-251A N-CH 600V 2A600V N-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251

安装方式 - Through Hole -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 2A 2A -

耗散功率 - 56.8W (Tc) -

输入电容(Ciss) - 325pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 56.8 W -

耗散功率(Max) - 56.8W (Tc) -

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251

产品生命周期 Active Active Not Recommended

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -50℃ ~ 150℃ (TJ) -

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