MTD5N25ET4和MTD5P06VT4G

对比图

型号 MTD5N25ET4 MTD5P06VT4G MTD6N20E1

描述 DPAK N-CH 250V 5AON SEMICONDUCTOR  MTD5P06VT4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 DPAK TO-252-3 -

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 -

极性 N-CH P-Channel -

漏源极电压(Vds) 250 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 5A 5.00 A -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -5.00 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.34 Ω -

耗散功率 - 40 W -

阈值电压 - 2.8 V -

输入电容 - 510 pF -

栅电荷 - 20.0 nC -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

上升时间 - 26 ns -

输入电容(Ciss) - 510pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 40 W -

下降时间 - 19 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.1W (Ta), 40W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -