DS1225AD-150和DS1225Y-150IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AD-150 DS1225Y-150IND+ DS1225AD-70+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIPIC SRAM NV 64K 10% 150NS 28-DIP非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - - 28

时钟频率 150 GHz - 70.0 GHz

存取时间 150 ns 150 ns 70 ns

内存容量 8000 B - 64000 B

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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