对比图
型号 IR2011S IR2011STRPBF IR2011SPBF
描述 200V High and Low Side Driver IC with typical 1A source and 1A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON IR2011SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min) 10.0V (min)
工作电压 - - 10V ~ 20V
上升/下降时间 35ns, 20ns 35ns, 20ns 35ns, 20ns
输出接口数 2 2 2
输出电压 200 V, 10.0 V (min) - 10.20 V
输出电流 - 1 A 1 A
通道数 2 - 2
针脚数 - - 8
耗散功率 - 625 mW 625 mW
上升时间 - 50 ns 50 ns
下降时间 - 35 ns 35 ns
下降时间(Max) - 35 ns 35 ns
上升时间(Max) - 50 ns 50 ns
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW
电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
电源电压(Max) - - 20 V
电源电压(Min) - - 10 V
额定功率 - 0.625 W -
静态电流 - 140 µA -
产品系列 IR2011 - -
长度 4.9 mm 5 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm
高度 - 1.50 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99