IR2011S

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IR2011S概述

200V High and Low Side Driver IC with typical 1A source and 1A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.

高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC


Win Source:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER


IR2011S中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 20.0V max

上升/下降时间 35ns, 20ns

输出接口数 2

输出电压 200 V, 10.0 V min

通道数 2

产品系列 IR2011

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

IR2011S引脚图与封装图
IR2011S电路图
在线购买IR2011S
型号: IR2011S
描述:200V High and Low Side Driver IC with typical 1A source and 1A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.
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