DS1250W-150和W150

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250W-150 W150 DS1250W-150+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 150NS 32DIPNon-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-323.3V 4096K Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 32 - 32

封装 DIP-32 DIP DIP-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 150 GHz - 150 GHz

存取时间 150 ns - 150 ns

内存容量 4000000 B - 4000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 DIP-32 DIP DIP-32

长度 43.69 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 9.4 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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