FGH20N6S2D和HGTG40N60B3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGH20N6S2D HGTG40N60B3 STGP8NC60KD

描述 600V ,开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM DiodeHGTG40N60B3 系列 600 V 70 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

耗散功率 125 W 290 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 125 W 290 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125000 mW 290000 mW 65000 mW

反向恢复时间 31 ns - 23.5 ns

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 28.0 A - -

上升时间 4.50 ns - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

长度 15.87 mm - -

宽度 4.82 mm - -

高度 20.82 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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