对比图
型号 JANTX2N6284 JANTX2N6308 2N6284G
描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 350V 8A 3Pin(2+Tab) TO-3ON SEMICONDUCTOR 2N6284G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 100 hFE 新
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-204-2
极性 NPN - NPN
耗散功率 175 W 125 W 160 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 350 V 100 V
集电极最大允许电流 20A - 20A
最小电流放大倍数(hFE) 1250 @10A, 3V 12 @3A, 5V 750 @10A, 3V
额定功率(Max) 175 W 125 W 160 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 175000 mW 125000 mW 160000 mW
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 20.0 A
输出电压 - - 100 V
输出电流 - - 20 A
针脚数 - - 3
最大电流放大倍数(hFE) - - 18000
直流电流增益(hFE) - - 100
输入电压 - - 5 V
封装 TO-3 TO-3 TO-204-2
长度 - - 39.37 mm
宽度 - - 26.67 mm
高度 - - 8.51 mm
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99