FDD8880_NL和ISL9N310AD3ST

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD8880_NL ISL9N310AD3ST FDD8880

描述 N沟道 30V 13A 58AN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 35.0 A 58.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 15 mΩ 0.007 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 70 W 55 W

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 1.26 nF

栅电荷 - - 23.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 13A 35.0 A 58.0 A

上升时间 - - 91 ns

输入电容(Ciss) - - 1260pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 55 W

下降时间 - 38 ns 32 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 55W (Tc)

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.39 mm

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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