对比图
型号 IPB100N04S3-03 IPB100N04S303ATMA1 IRF1104SPBF
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorN沟道 40V 100ATrans MOSFET N-CH 40V 100A 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 100 A
额定功率 - - 170 W
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 214 W 214 W 2.4 W
产品系列 - - IRF1104S
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40.0 V
漏源击穿电压 - - 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100A 100 A
上升时间 16 ns 16 ns 114 ns
通道数 - 1 -
输入电容(Ciss) 9600pF @25V(Vds) 9600pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 214 W 214 W -
下降时间 17 ns 17 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 214W (Tc) 214W (Tc) -
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK
长度 10 mm 10 mm -
宽度 9.25 mm 9.25 mm -
高度 4.4 mm 4.4 mm -
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 - -