NSBC114YDP6T5G和PEMH9,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBC114YDP6T5G PEMH9,115 PEMD9,115

描述 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor TransistorsNXP  PEMH9,115.  晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666NXP  PEMD9,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-963-6 SOT-666-6 SOT-666

通道数 - 2 -

极性 NPN NPN NPN, PNP

耗散功率 408 mW 0.3 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @5mA, 5V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) 339 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 408 mW 300 mW 300 mW

针脚数 - - 6

直流电流增益(hFE) - - 100

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

宽度 0.8 mm 1.3 mm -

高度 0.37 mm 0.6 mm 0.6 mm

封装 SOT-963-6 SOT-666-6 SOT-666

长度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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